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地球探検の旅 > 日亜化学工業辰巳工場

    日亜化学工業辰巳工場 掲載日 : 2019年6月5日 
日亜化学工業辰巳工場  
 投稿者 : 地図好きさん
 カテゴリ : 会社
 場所 : 日本/徳島県/阿南市辰巳町
 座標 (緯度・経度) :
 33.93542291790045 , 134.6861712346662

アクティブ電子走査アレイ(AESA: active electronically scanned array)に使われる窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を調べていたら、青色LEDで良質なGaN薄膜作成に成功したことが原点であるように思えてきた。
軍事に於いては、GaNが戦場での勝敗を決定づけるように思える。

中村修二が実用化したからこそ、赤粼勇・天野浩の研究が評価された(ノーベル賞)と思われる。
1982年 名大・赤粼研究室(赤粼研)有機金属気相成長装置(MOCVD)を自作
天野(電気工学科3年)赤粼研に入る(卒業研究)
1986年 赤粼研 低温堆積緩衝層の発明により、良質なGaN薄膜作成に成功(世界初)
サファイア基板+低温堆積緩衝層(窒化アルミニウム)+GaN薄膜
1988年04月 日亜化学・中村 フロリダ大学へ留学(1年間)MOCVDを勉強
1989年 赤粼研 マグネシウムを添加したGaNに電子線照射し、p型化(世界初)。製法・ホール移動度ともに実用レベルではない
1991年 中村 実用レベルのGaN薄膜をツーフローMOCVD※で作成
※ツーフロー:現在は使われておらず、ウェハを回転させて層流を作ることで結晶成長させている
中村 サファイア基板+低温成長GaN薄膜+GaN薄膜(ツーステップ成長法)
中村 マグネシウムを添加したGaNを熱処理し、p型化(アニール法、実用レベル)
1992年03月 中村 ホモ接合の青紫色LED(GaN)
窒化インジウムガリウム(InGaN)の結晶をツーフローMOCVDで作成
1993年01月 中村 ダブルヘテロ接合の青色LED(InGaN)
12月 日亜化学 青色LED発売
1995年10月 豊田合成 青色LED発売
2010年 GaNパワー半導体の製品化
シリコン基板+窒化アルミニウム+GaN
2019年05月23日 名大未来材料・システム研究所 マグネシウムイオン注入により、p型化(世界初)

GaN基板(単結晶)※シェア
住友電工・三菱化学・サイオクス(住友化学)85%(2017年)
※用途:青紫色半導体レーザ、高輝度LED

GaNパワー半導体シェア 輻輳し過ぎ、わかりません。
GaN Systems Inc.(カナダ)
Transphorm, Inc.(カリフォルニア、古河電工)
三菱電機
富士電機
パナソニック
豊田合成
ローム
富士通セミコンダクター





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 No.1  投稿者 : 地図好きさん 投稿日 : 2019年06月05日 
赤粼→赤



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